近年来，社会公众在节能方面的意识日益增强，而这股“环保新风尚”也逐渐在工业、交通业等众多领域席卷开来。因此，针对铁路列车的的驱动系统、电力传输系统和大型工业机械使用变流器等应用，且有助于逆变器实现更高功率、更高效率、更高可靠性的功率半导体模块产品需求强劲。

为响应此类需求，三菱电机株式会社将从9月开始，依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT※1模块”（3.3kV/450A・600A）。该模块实现业内最大电流密度※2，有助于提高逆变器的输出功率和效率；并采用全新封装结构，利于并联应用，实现灵活配置，提高系统可靠性。此外，规划中的SiC产品同样采用LV100封装。

本产品将在 “PCIM Europe 2017”（5月16-18日于德国纽伦堡举行）以及“PCIM Asia 2017”（6月27-29日于中国上海举行）上展出。

※1 High Voltage InsulatedGate Bipolar Transistor：高压绝缘栅型双极晶体管

※2 截至2017年5月11日，根据本公司的调查

新产品特点

1．实现业内最大的电流密度，有助于实现逆变器的大功率和高效率

• 采用三菱电机最新CSTBTTM※3 IGBT硅片技术和RFC※4二极管硅片技术，作为Si IGBT器件，实现了业内最大※2的电流密度，高达8.57A/cm2（3.3kV/600A LV100 HVIGBT）

• AC输出主端子增加至3个，分散输出电流，缓解主端子的发热状况，实现在大电流工况下可靠运行

※3 载流子存储式沟槽栅型双极晶体管

※4 RelaxedField of Cathode Diode : 本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率

2．便于并联应用，根据功率大小灵活配置

• 通过优化端子布局，方便并联应用，有效支持各个功率段的逆变器

3．通过全新封装结构，有助于提高系统的可靠性

• 采用绝缘基板与散热底板的一体化设计，改善热循环寿命※5。更小的结壳热阻，实现功率循环寿命※6的提高，实现高度靠性。

※5 因相对较长时间的温度循环令外壳温度发生变化时的寿命

※6 因相对较短时间的温度循环令芯片温度发生变化时的寿命