三菱电机株式会社将自9月起陆续发售“X系列HVIGBT※1模块”8个产品（包含电压等级3．3kV、4．5kV、和6．5kV）。此次发售的产品是功率半导体模块的新产品，主要用于需要高耐压、大电流、高可靠性的铁路牵引、电力传输、大型工业设备等领域。本产品将在“TECHNO－FRONTIER 2017 －MOTORTECH JAPAN－”（4月19－21日本幕张举行）“PCIM※1Europe 2017”（5月16－18日于德国纽伦堡举行）以及“PCIM※1Asia 2017”（6月27－29日于中国上海举行）上展出。

※1　High Voltage Insulated Gate BipolarTransistor：高压绝缘栅型双极晶体管

新产品的特点

1．实现行业顶级水平的额定电流，为逆变器的大容量化做贡献

·在“X系列”中增加3．3kV级（1200A／1800A）、4．5kV级（900A／1350A／1500A）、6．5kV级（600A／900A）共计8个产品

·3．3kV、4．5kV级实现了行业顶级水平※2的额定电流1800A、1500A，可实现更大容量的逆变器

※2　截至2017年4月5日，根据本公司的调查

2．应用第7代IGBT和RFC二极管，为逆变器的小型化做贡献

采用三菱CSTBTTM※3结构的第7代IGBT和RFC二极管※4 硅片技术，与以往产品相比※5，功率损耗降低约20％

·与具有相同耐压和额定电流的以往产品※5相比，外形尺寸大约缩小33％，可为逆变器的小型化做贡献

·全系列产品实现了150℃的工作保证温度，因此可以简化逆变器冷却系统设计，有利于逆变器的小型化

※3　载流子存储式沟槽栅型双极晶体管

※4　Relaxed Field of Cathode：本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率

※5　X系列CM1200HC－66X与H系列CM1200HC－66H的比较

3．通过优化封装结构，为提高逆变器的可靠性做贡献

·通过优化封装内部结构，提高散热性、耐湿性、阻燃性，延长产品寿命