三菱电机株式会社宣布将在8月17日发售新压注模封装超小型DIPIPMTM产品，该产品搭载了三菱电机最新开发的SiC※1-mosFET※2，适合于变频驱动应用，可以提高能效空调的全年能耗消耗效率。

　　※1　Silicon Carbide：碳化硅

　　※2　metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管

　　※3　Dual-In-Line Package Intelligent Power Module：双列直插型智能功率模块

超小型 全SiC DIPIPM

　　新产品的特点

　　1、通过搭载SiC-MOSFET，实现业界顶级的低功耗性能

　　●搭载新开发的SiC-MOSFET，与以往产品※4 相比电力损失大约降低70%

　　●实现业界顶级※5 的低功耗性能，为提高空调的全年能源消耗效率做出贡献

　　※4　超小型DIPIPM Ver.6系列(硅材料产品)PSS15S92F6(15A / 600V)

　　※5　本公司调研数据截至2016年8月17日。

　　2、确保与以往产品间的兼容性，有助于逆变器系统设计的简约化

　　●外形尺寸、引脚配置等与本公司超小型封装※6 产品系列兼容

　　●通过绝缘膜生成工艺的合理化，实现了高阈值电压与低通态阻抗的并存，减少栅负偏压电路※7

　　●通过内置带限流电阻的BSD※8 ，减少外部元件数量

　　※6　“超小型DIPIPM” PSSxxS92x6等系列的超小型封装产品

　　※7　对于SiC-MOSFET，通常如果提高开通电压和关断电压之间的阈值电压，则通态阻抗也会升高，导致电力损失增加。为了降低通态阻抗，需要栅负偏压电路

　　※8　Boot-Strap Diode：是用于从基准电压生成其它电压的自举电路的高耐压二极管