三菱电机开发出了饱和输出功率高达220W（53.4dBm）的GaN（氮化镓）制HEMT（高电子迁移率晶体管）“MGFS53G27ET1”，将从2016年11月1日开始样品供货。该产品支持的频率范围为2.5GHz～2.7GHz，最大漏极效率高达74％。据称是通过采用GaN材料和优化晶体管结构实现的。主要面向第4代（4G）移动通信系统用宏蜂窝基站。宏蜂窝基站是指，以半径达数km～25km的大通信区域为对象的基站。据该公司介绍，“在面向宏蜂窝基站的产品中，74％的漏极效率为行业顶级水平”。由于漏极效率高，可以在简化通信设备冷却功能的同时，实现基站的小型化和低功耗化。

线性增益为18dB。推荐工作电压为50V。采用无凸缘封装。由于没有用螺丝等固定的安装部分（凸缘），可以削减安装面积。样品价格为1.5万日元（不含税）。

该公司已经推出市了支持3.4GHz～3.8GHz的第4代移动通信系统用GaN制HEMT参阅。此次的新产品也将追到到该产品线中。今后该公司除了封装、输出电力和频带各异的第4代移动通信系统用产品外，还将向市场投放第5代（5G）移动通信系统用产品。